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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlaufige Daten preliminary data
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prufspannung insulation test voltage tp = 1 ms Tvj = 25C TC = 80 C TC = 25 C tP = 1 ms, TC = 80C VCES IC,nom. IC ICRM 1700 1200 1950 2400 V A A A
TC=25C, Transistor
Ptot
9,6
kW
VGES
+/- 20V
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125C
2 It
380
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 25C IC = 1200A, V GE = 15V, Tvj = 125C IC = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25C VGE(th) 4,5 VCE sat
min.
typ.
2,6 3,1 5,5
max.
3,1 3,6 6,5 V V V
VGE = -15V ... +15V
QG
14,5
C
f = 1MHz,Tvj = 25C,V CE = 25V, V GE = 0V
Cies
79
nF
f = 1MHz,Tvj = 25C,V CE = 25V, V GE = 0V VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25C
Cres ICES
4 5
nF mA
VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25C
IGES
400
nA
prepared by: A. Wiesenthal approved by: Christoph Lubke; 12.04.2001
date of publication: 05.04.2001 revision: 1 (preliminary)
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlaufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 1200A, V CE = 900V VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 125C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 1200A, V CE = 900V VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 125C Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 1200A, V CE = 900V VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 125C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 1200A, V CE = 900V VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 1,2W, Tvj = 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschluverhalten SC Data Modulinduktivitat stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlusse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm IC = 1200A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 1,2W, Tvj = 125C, LS = 50nH IC = 1200A, V CE = 900V, V GE = 15V RG = 1,2W, Tvj = 125C, LS = 50nH tP 10sec, V GE 15V TVj125C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE *dI/dt ISC LsCE 4800 12 A nH Eoff 480 mWs Eon 330 mWs tf 0,13 0,14 s s td,off 1,1 1,1 s s tr 0,16 0,16 s s td,on 0,3 0,3 s s
min.
typ.
max.
RCC+EE
0,08
mW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF = 1200A, V GE = 0V, Tvj = 25C IF = 1200A, V GE = 0V, Tvj = 125C IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/sec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125C Sperrverzogerungsladung recovered charge IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/sec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/sec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125C Erec 110 210 mWs mWs Qr 200 380 As As IRM 970 1130 A A VF
min.
typ.
2,1 2,1
max.
2,5 2,5 V V
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlaufige Daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthCK 0,008 RthJC
typ.
max.
0,013 0,025 K/W K/W K/W
Tvj
150
C
Tvj op
-40
125
C
Tstg
-40
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight terminals M4 terminals M8 G 1050 M1 AlN
17
mm
10
mm
275 5 Nm
M2
2 8 - 10
Nm Nm g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE)
V GE = 15V
vorlaufige Daten preliminary data
2400 2200 2000 1800 1600
IC [A]
1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tvj = 25C Tvj = 125C
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical)
IC = f (VCE)
T vj = 125C
2400 2200 2000 1800 1600
VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V
IC [A]
1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlaufige Daten preliminary data
Ubertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE)
VCE = 20V
2400 2200 2000 1800 1600
Tj = 25C Tj = 125C
IC [A]
1400 1200 1000 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13
VGE [V]
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
2400 2200
Tvj = 25C
IF = f (VF)
2000 1800 1600
Tvj = 125C
IF [A]
1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorlaufige Daten preliminary data
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Rgon = Rgoff =1,2 9, VCE = 900V, T j = 125C, V GE = 15V Switching losses (typical)
1200
Eoff
1000
Eon Erec
800 E [mJ]
600
400
200
0 0 400 800 1200 1600 2000 2400
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
1400
Eon Eoff
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
IC = 1200A , V CE = 900V , T j = 125C, V GE = 15V
1200 1000 E [mJ] 800 600 400 200 0 0 2
Erec
4
6
8
10
RG [9] 9
6(8)
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t)
vorlaufige Daten preliminary data
0,1
ZthJC [K / W]
0,01 Zth:Diode Zth:IGBT
0,001 0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec] i ri [K/kW] : IGBT Ji [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode Ji [sec]
: Diode 1 1,25 0,003 2,46 0,003 2 6,15 0,05 13,4 0,045 3 2,6 0,1 4,57 0,45 4 3 0,95 4,57 0,75
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
3000
Rg = 1,2 Ohm, Tvj= 125C
2500
2000
IC [A]
IC,Modul 1500 IC,Chip
1000
500
0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
7(8)
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FZ 1200 R 17 KF6C B2
Auere Abmessungen / external dimensions
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